新品發布
芯能半導體新推出一款1200V600A C2模塊，該模塊采用芯能自主研發的基于MPT工藝的IGBT芯片以及發射極控制技術的FRD芯片。封裝兼容62mm。該產品具有超低的飽和壓降、超低開關損耗的特點，內置全電流正溫度系數續流二極管，利于多并聯使用，主要應用在光伏、儲能、電機控制器等領域。
該C2模塊由芯能半導體自建的自動化封裝制造專線生產，可以實現模塊的常溫、高溫動靜態測試篩選，以及器件參數的分檔，滿足模塊并聯使用和高可靠性的要求。
競品參數對比
產品特點
1、C2系列封裝（兼容62mm）
2、IGBT采用MPT芯片技術，超低開關損耗，超低Vcesat
3、FRD采用正溫度系數，利于多并聯使用
4、低寄生電感
5、成本比ME4產品低20%
應用領域
拓撲結構
測試波形對比
1、2.5倍電流波形@150℃
2、短路波形@150℃
自動化封裝線
芯能半導體有一條專門生產C2的模塊的專線，全制程、全工序生產作業配備有先進的工藝自動化上下料系統： 以實現高效的生產和一致的產品質量。
※ ：產品具體信息可向我司銷售人員咨詢或索取產品規格書（service@invsemi.com）。
